晶体管工作原理（mos晶体管工作原理）

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1、 一、晶体管工作原理——简介

2、 晶体管，英文名Transistor，是指所有基于半导体材料的单个元件，如二极管、三极管、场效应晶体管等。晶体管具有整流、检波、放大、稳压、开关等多种功能。它具有响应速度快、精度高的特点。它是手机、平板电脑等现代电子电路标准化运作的基本积木，目前已被广泛应用。

3、 二晶体管工作原理——分类

4、 晶体管一般是指所有的半导体器件，包括N种以上，所以可以用不同的方式分类。根据所用材料的不同，晶体管可分为硅晶体管和锗晶体管。根据极性的不同，可分为NPN型晶体管和PNP型晶体管。根据结构和制造工艺的不同，可分为扩散晶体管、合金晶体管和平面晶体管。还可以根据不同的电流容量、不同的工作频率、不同的封装结构分为不同的类型。但晶体管多指晶体管，主要分为双极型晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)。接下来，我们将以BJT和场效应管为例来解释晶体管的工作原理。

5、 III晶体管工作原理——双极晶体管

6、 双极晶体管，英文名为Bipolar Transistor，是双极结型晶体管的缩写。因为它有三个端子，我们通常称之为三极管。三极管由两个PN结组成，分为发射极、基极和集电极，对应产生发射极、基极和集电极三个电极。

7、 三极管的工作原理是酱紫。一是电源作用于发射极结使发射极结正向偏置，发射极区的自由电子不断流向基极区形成发射极电流；其次，自由电子从发射区流向基区后，首先聚集在发射结附近，但随着这里自由电子的增多，在基区形成了电子浓度的差异，使得自由电子逐渐从发射结流向基区的集电极结，形成集电极电流。最后，由于集电极结处反向电压较大，阻止了集电极区的自由电子向基区扩散，聚集在集电极结附近的自由电子被吸引到集电极区形成集电极电流。

8、 IV晶体管工作原理——场效应晶体管

9、 场效应晶体管(FET)，英文名为Field Effect Transistor(场效应晶体管)，是通过控制输入电路的电场效应来控制输出电路电流的器件。可分为结与绝缘栅、增强与耗尽、N沟道与P沟道。接下来我们就以N沟道结型FET为例来说明它的工作原理。

10、 对应三极管的基极、集电极和发射极，FET分别是栅极、漏极和源极。栅极和源极之间加负电压，漏极和源极之间加直流电压，保证FET能正常工作。施加的负电压越大，PN结处形成的耗尽区越厚，导电沟道越窄，沟道电阻越大，漏电流越小。相反，施加的负电压越小，PN结处形成的耗尽区越薄，导电沟道越厚，沟道电阻越小，漏电流越大。因此，通过控制施加在栅极和源极之间的负电压来控制沟道电流。

11、 动词（verb的缩写）晶体管的类型

12、 双极晶体管根据半导体的组合分为NPN型和PNP型。另一方面，FET由于其结构又分为结型FET和MOSFET。它可以进一步分为N沟道和P沟道。N沟道中电流的主体是电子，P沟道中的空穴是空穴。双极晶体管用于模拟集成电路、高频放大器、音频输出、串联调节器和其他模拟应用。另一方面，MOSFET的开关动作迅速。由于其结构简单，可由低开关功耗的CMOS门构成，并可通过微加工技术提高其性能，因此成为数字LSI器件中的必要元件。功率MOSFET是一种适于通过改变开关周期时间来控制功率的开关器件。

13、 不及物动词关系

14、 在NPN晶体管中，如果施加直流电压消除基极和发射极结的势垒，电子将从发射极范围注入基极。减薄基极层厚度后，几乎所有的电子都会作为扩散电流到达基极和集电极的结，成为集电极电流。同时空穴也从基极注入发射极，成为基极电流。然而，如果发射极中的杂质浓度增加到基极杂质的100倍，则可以降低电流比，并且可以通过小的基极电流来控制较大的集电极电流。虽然NPN晶体管中的电子是电流的主体，但PNP晶体管中的空穴是主体，所以电流的流向相反。

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