内存芯片的种类有哪些（内存颗粒芯片常用在什么地方）

大家好,今天就和蜜蜜一起来看看这个问题吧 。内存颗粒芯片常用在什么地方，内存芯片的种类有哪些很多人还不知道，现在让我们一起来看看吧！

芯片有哪几种内存？

缩写：缓存

标准：高速缓存

中文：缓存

缓存是一种随机存取存储器(RAM)，其存取速度比一般RAM快。当CPU

(CPU)处理数据时，会先在缓存中寻找。如果数据因为先前已被读取而临时存储在其中，则不会

你需要从内存中读取数据。因为CPU的运行速度通常比主内存快，如果CPU要连续访问内存，

你必须等待几个机器周期，导致浪费。所以提供“缓存”的目的是为了适应CPU的读取速度。诸如

英特尔奔腾处理器在片上集成了不同容量的指令缓存和数据缓存，通常称为

L1缓存(内存)。L2缓存通常是一个独立的SRAM芯片。

缩写：DDR

标准：双倍约会价格

中文：双倍数据传输速率

DDR系统时钟为100或133MHz，但数据传输速率是系统时钟的两倍，即200或266MHz。该系统

用3.3或者3.5V的电压，因为DDR SDRAM的速度提高了，所以传输效率比同步动态随机存取要好。

内存(SDRAM)不错。

DDR是双倍数据速率同步DRAM (SDRAM)的首字母缩写。双倍速率同步动态随机存储器

内存技术是从成熟的SDRAM衍生出来的一种进化技术

技术。DDR内存高性能的秘密在于它能够

在一个时钟周期内执行两次数据操作，提供两倍的吞吐量

SDRAM的

缩写：DIMM

标准：双列直插式内存模块

双列直插式内存模块。

DIMM是一种使用焊接在PCB板上多个随机存取存储器(RAM)芯片(芯片)的模块，实际上是一种

一种包装技术。在PCB的一条边上，每边有64个指形铜接触条，两边有168条。DIMM可以分割

是3.3V和5V，包含缓冲和无缓冲。目前最常见的是3.3V。

缓冲区的类型，并且DIMM还需要一个可擦除只读存储器(EPROM ),以便BIOS存储每个

参数，使芯片组(芯片组)达到最佳状态。

缩写：DRAM

标准：动态随机存取存储器

中文：动态随机存取存储器

通用计算机系统中使用的随机存取存储器(RAM)可以分为两种类型：动态和静态随机存取存储器(SRAM)

DRAM需要由存储器控制电路按照一定的周期刷新存储器，以维持数据保存，SRAM数据

则不需要刷新过程，并且在上电期间数据不会丢失。

缩写：ECC

标准：错误检查和纠正)

处理单元中所有单位错误的错误检测和纠正，以及双位或多位错误检查和纠正。

积极的。

缩写：江户DRAM

标准：将数据扩展出动态随机存取存储器

EDO动态随机存取存储器

EDO DRAM也称为超页模式DRAM，可以增加动态随机存取存储器(DRAM)读取。

为了提高EDO DRAM的读取效率，EDO DRAM可以保持数据输出到下一个周期

CAS#的下降沿，EDO DRAM的带宽从100兆(MB)增加到200MB。

缩写：EEPROM

标准：电可擦除可编程只读存储器

英语：电子可擦只读存储器

非易失性存储器。去掉电源后，存储的信息(数据)仍然存在，在专用管脚上加一个电压，和那个一样。

当输出相应的命令时，可以擦除内部数据。它通常用于电视机和空调中，以存储用户设置的参数。

数数。

这种内存支持在线数据修改。每次写入数据前，必须确保将写入单元擦拭干净，并写入一个数字。

根据大致时间在2-10ms之间。支持单字节单元擦除功能。

缩写：EPROM

　　中文：紫外擦除只读存器

　　非挥发性存储器。不需要电力来维持其内容，非常适合用作硬件当中的基本输出入系统

　　(BIOS)。允许使用者以紫外线消除其中的程序重复使用。

　　这种存储器不支持再线修改数据。

　　简称：Flash

　　标准：Memory

　　中文：闪烁存储器

　　非挥发性存储器。是目前在可在线可改写的非挥发性存储器中容量最大的存储器。支持再

　　线修改数据，写数据的速度比EEPROM提高1个数量级。

　　Flash应用于大容量的数据和程序存储，如电子字典库、固态硬盘、PDA上的操作系统等。

　　简称：FeRAM

　　标准：Ferroelectric random access memory

　　中文：铁电存储器

　　ferroelectric random access memory (FRAM) is a new generation of nonvolatile

　　memory that combines high-performance and low-power operation with the ability

　　to retain data without power.

　　FRAM has the fast read/write speed and low power of battery-backed SRAM and

　　eliminates the need for a battery

　　简称：MRAM

　　标准：Magnetoresistive Random Access Memory

　　中文：磁性随机存储器

　　磁性随机存储器是正在开发阶段的，基于半导体(1T)和磁通道(magnetic tunnel

　　junction-MTJ)技术的固态存储介质，属于非挥发性芯片。主要开发厂商有IBM、Infineon

　　(英飞凌)、Cypress和Motorola(摩托罗拉)。其擦写次数高于现有的Flash存储器，可达

　　1015，读写时间可达70nS，

　　简称：RAM

　　标准：Random Access Memory

　　中文：随机存储器

　　随机存取内存，是内存(Memory)的一种，由计算机CPU控制，是计算机主要的储存区域，指

　　令和资料暂时存在这里。RAM是可读可写的内存，它帮助中央处理器 (CPU ) 工作，从键盘

　　(Keyboard ) 或鼠标之类的来源读取指令，帮助CPU把资料 (Data) 写到一样可读可写的辅

　　助内存 (Auxiliary Memory) ，以便日后仍可取用，也能主动把资料送到输出装置，例如打

　　印机、显示器。 RAM的大小会影响计算的速度，RAM越大，所能容纳的资料越多，CPU读取的

　　速度越快。

　　简称：RDRAM

　　标准：Rambus DRAM

　　中文：Rambus动态随机存储器

　　这是一种主要用于影像加速的内存 (Memory ) ，提供了1000Mbps的传送速率，作业时不会

　　间断，比起动态随机存取内存 (DRAM ) 的200mbps更加快速，当然价格比要DRAM贵。虽然

　　RDRA无法完全取代现有内存，不过因为总线 (BUS) 速度的需求，可以取代DRAM与静态随机

　　存取内存 (SRAM ) 。 SDRAM的运算速度为100赫兹 (Hz ) ，制造商展示的RDRAM则可达

　　600MHz，内存也只有8或9位 (bit ) 长，若将RDRAM并排使用，可以大幅增加频宽

　　(Bandwidth) ，将内存增为32或64位。

　　简称：ROM

　　标准：Read Only Memory

　　中文：只读存储器

　　只读存储器，这种内存 (Memory ) 的内容任何情况下都不会改变，计算机与使用者只能读

　　取保存在这里的指令，和使用储存在ROM的数据，但不能变更或存入资料。 ROM被储存在一

　　个非挥发性芯片上，也就是说，即使在关机之后记忆的内容仍可以被保存，所以这种内存多

　　用来储存特定功能的程序或系统程序。 ROM储存用来激活计算机的指令，开机的时候ROM提

　　供一连串的指令给中央处理单元进行测试，在最初的测试中，检查RAM位置(location)以确

　　认其储存数据的能力。此外其它电子组件包括键盘 (Keyboard ) 、计时回路(timer

　　circuit)以及CPU本身也被纳入CPU的测试中。

　　简称：SDRAM

　　标准：Synchronous Dynamic RAM

　　中文：同步动态随机存储器

　　SDRAM的运作时脉和微处理器 (Microprocessor) 同步，所以可以比EDO 动态记忆模块

　　(EDO DRAM ) 的速度还快，采用3.3V电压(EDO DRAM为5V)，168个接脚，还可以配合中央处

　　理器 (CPU ) 的外频 (External Clock) ，而有66与100MHz不同的规格，100MHz的规格就是

　　大家所熟知的PC100内存 (Memory ) 。

　　简称：SIMM

　　标准：Single In-Line Memory Module

　　中文：单直列内存模块

　　内存(Memory )模块的概念一直到80386时候才被应用在主机板(Mother Board)上，当时的

　　接脚主要为30个，可以提供8条资料 (Data) 存取线 (Access Line)，一次资料存取

　　(Access)为32个字节，所以分为四条一组，因此80386以四条为一个单位。而今一条SIMM为

　　72Pins，不过只能提供32字节的工作量，但是外部的数据总线(Data Bus)为64字节(bite)，

　　因此一个主机板上必须有两条SIMM才足以执行庞大的资料(Data)处理工作。

　　简称：SRAM

　　标准：Static Random Access Memory

　　中文：静态随机存储器

　　SRAM制造方法与动态随机存取内存(DRAM )不同，每个位使用6个晶体管(transistor)组

　　成，不需要不断对晶体管周期刷新以保持数据丢失，其存取时间较短控制电路简单，但制造

　　成本较高，单片难以做到DRAM那样容量。

　　简称：VCM SDRAM

　　标准：Virtual Channel Memory SDRAM

　　中文：虚拟信道存储器

　　1999年由于SDRAM在市场上大为缺货，而由日本NEC恩益禧搭配一些主机板厂商及芯片组

　　(Chipset)业者，大力推广所谓的VCM模块技术，而为消费者广为接受，日本NEC更希望一举

　　将VCM的规格推向工业级标准。VCM内存规格是以SDRAM为基础观念所开发出的新产品，并加

　　强原有的SDRAM功能。昔日的SDRAM须等待中央处理器(CPU)处理完资料或VGA卡处理完资料

　　后，才能完整地送至SDRAM做进一步的处理，然而VCM的内部区分为16条虚拟信道Virtual

　　Channel)，每一个信道都负责一个单独的memory master，因此可以减少内存(Memory)接口

　　的负担，进而增加计算机使用者使用效率。 目前为全球第四大内存模块厂商的宇瞻科技与

　　日本NEC技术合作，在台湾推出以PC133 (PC133) VCM内存模块为设计的笔记型计算机，由于

　　VCM技术可以减少内存接口的负担，以及本身低耗电的特性，相当适合笔记型计算机的运

　　用，品质与一般个人计算机相较之下毫不逊色。

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这篇文章到此就结束，希望能帮助到大家。